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第2题
晶体管工作在放大状态的条件是（)。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向
晶体管工作在放大状态的条件是()。
A.发射结反向偏置，集电结反向偏置
B.发射结反向偏置，集电结正向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
第5题
三极管发射结正向偏置，集电结反向偏置是（)状态。A.放大B.截止C.饱和D.以上答案都不对
三极管发射结正向偏置，集电结反向偏置是()状态。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.以上答案都不对
第10题
异质结的超注入现象是指？（)
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
