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[填空题]

硅三极管的发射结导通电压为()。

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第1题
硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为___伏;其门坎电压Vth约为___伏。

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第2题
硅管的导通电压约为0.7V。()
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第3题
共射NPN三极管导通时,()。

A.be间电压基本不变

B.bc间电压基本不变

C.ce间电压基本不变

D.以上都错误

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第4题
正常使用时,双极型三极管的发射结加()小电压,收集结加()大电压。
正常使用时,双极型三极管的发射结加()小电压,收集结加()大电压。

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第5题
在晶体三极管放大电路中,三极管发射结加正向电压,集电结加反向电压。()
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第6题
硅材料二极管导通电压约为(),锗材料的约为()。

A.06~0.8V,0.1~0.2V

B.0.6~0.8V,0.2~0.3V

C.0.6~0.7V,0.1~0.2V

D.0.6~0.7V,0.2~0.3V

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第7题
晶体三极管基极电流保持不变,当()时,三极管工作在饱和区。

A.发射结加正向电压,集电结加反向电压;

B.发射结加正向电压,集电结加正向电压;

C.发射结加反向电压,集电结加反向电压;

D.发射结加反向电压,集电结加正向电压。

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第8题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V;锗二极管的门槛电压约为___V,导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第9题
关于并联(升压)型开关稳压电路,以下说法错误的是()。

A.开关调整管T导通时间越长,电感L储能越多,因此,当T截止时L向负载释放能量越多,在一定负载电流条件下,输出电压越高

B.为了提高开关稳压电源的效率,开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管(或MOSFET)

C.选择续流二极管要考虑导通、截止和转换三部分的损耗,因此选用正向压降小,反向电流小和存储时间短的开关二极管

D.开关稳压电路的开关频率一般为15〜500kHz,所以输岀端的滤波电容应便用低频电解电容

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第10题
晶体管符号中的箭头表示发射结导通时电流的方向。()

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第11题
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为()。

A.放大状态

B.微导通状态

C.截止状态

D.饱和状态

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