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[单选题]

关于NPN型硅BJT共射集连接的特性曲线,下列()说法错误。

A.三极管的输入特性曲线是集-射极电压Vce为常数时,输入电路中基极电流与基射极电压Vbe之间的关系曲线

B.三极管的输出特性指当基极电流Ib为常数时,输出电路中集电极电流Ic与集-射极电压Vce之间的关系曲线

C.在不同的基极电流Ib下,可得出相同的输出特性曲线,所以三极管的输出特性曲线是一条曲线

D.三极管的伏安特性曲线能直观地描述各极间电压与各极间电流之间的关系

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第1题
由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时,输出波形容易产生失真,Q点偏高时的失真叫做失真,对应的输出电压波形将出现失真()。

A.饱和;顶部

B.饱和;底部

C.截止;底部

D.截止;顶部

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第2题
NPN型三极管在共射极电路中,如果三极管工作在放大区,则应是()。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结反偏,集电结正偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结反偏

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第3题
三极管共射极电路的输入特性曲线是指在Uce为一常数时,Ib与Ube之间的关系。()

三极管共射极电路的输入特性曲线是指在Uce为一常数时,Ib与Ube之间的关系。()

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第4题
NPN型三极管BJT的集电极和发射级的关系是()。

A.因为都是N型半导体构成所以可以互换使用

B.因为结构不同不可以互换使用

C.集电极串联一个电阻后可以作为发射极使用

D.发射极串联一个电阻后可以作为集电极使用

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第5题
在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ(),ICQ(),UCEQ()。
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第6题
下列关于DR的叙述正确的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加

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第7题
NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。

A.放大区

B.截止区

C.击穿区

D.饱和区

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第8题
双极型晶体管共基极连接具有()放大作用,共射极连接具有()放大作用。
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第9题
结型光电器件与三极管连接,保证放大,要接在()。

A.集射极间短路

B.基集极间短路

C.基射极间正偏

D.基集极间反偏

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第10题
共射NPN三极管导通时,()。

A.be间电压基本不变

B.bc间电压基本不变

C.ce间电压基本不变

D.以上都错误

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第11题
型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。()

型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。()

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