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[主观题]
当pn结()向连接时， 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变()，允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
当pn结（)向连接时， 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变（)，允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
()向连接时，阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展()，pn结上只允许较小的()电流通过。
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()向连接时，阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展()，pn结上只允许较小的()电流通过。
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A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
