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[主观题]

以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是()。

以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是()。

A、τe、τb、τd

B、τe、τb、τc

C、τe、τd、τc

D、τe、τb、τd、τc

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第1题
对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。()
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第2题
下列有关晶体管截止频率的说法正确的是()。

A.截止频率为电流放大系数下降了低频值的后的频率

B.截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率

C.截止频率为电流放大系数下降到低频值的时的频率

D.截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率

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第3题
共基极晶体管放大电路的电压放大系数是()。

A.βR’L/rbe

B.-βR’L/rbe

C.β

D.-β

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第4题
电路如图所示,UCC=12V,晶体管T的电流放大系数 β=50,RB = 300 kΩ,RC= 3 kΩ,晶体管T处于()。

A.放大状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.开关状态

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第5题
MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关:()。

A.氧化层电容

B.沟道长度

C.载流子迁移率

D.电源电压

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第6题
单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号
单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻,计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs

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第7题
干扰通道的放大系数尽可能大些,时间常数尽可能小些,干扰作用点尽量靠近控制阀,加大对象干扰通道的容量滞后,使干扰对被控变量的影响减小。()
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第8题
晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()
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第9题
双极型晶体管做共发射极连接使用时,Early效应能有效调节集电极电流大小,使晶体管工作稳定。()
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第10题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。()
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第11题
电阻R*10K档,它的最大输出电流仅为(),不会过耗。电流小,输出功率也小,不会损坏晶体管。

A.0.47mA

B.47mA

C.50mA

D.0.5mA

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