如果结果不匹配，请 
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第2题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
第7题
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求，以下（)说法是正确的。
A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品
B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯
C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中
第8题
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求，以下哪些说法是正确的（)
A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品
B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯
C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中
D.双芯片上芯产品，应优先粘MOS芯片
E.DIP双芯片产品，如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的，应立即停机反馈
