题目内容
（请给出正确答案）
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为
，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参…”相关的问题
两种改进型电容三点式振荡电路如图题10.7.3ab所示，试回答下列问题：
(1) 画出图a的交通流路，若Cb很大，C1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(2) 画出图b的交流电路，若Cb很大，CC1＞C3，C2＞C3，求振荡频率的近似表达式;
(3) 定性说明杂散电容对两种电路振荡频率的影响。
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
A.微分电路
B.vco振荡器
C.环路滤波器
D.电容三点式振荡器
d
=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
A.RST
B.ALE
C.XTAL1
D.XTAL2
E.以上都不是
