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第7题
在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在()以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。
在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（)以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。
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第9题
用万用表R³100Ω挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（)。
A.两个PN结都被击穿
B.两个PN结都被烧坏
C.只有发射极被击穿
D.只有发射极被烧坏
第10题
晶体管工作在放大状态的条件是（)。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向
晶体管工作在放大状态的条件是()。
A.发射结反向偏置，集电结反向偏置
B.发射结反向偏置，集电结正向偏置
C.发射结正向偏置，集电结反向偏置
D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
第11题
异质结的超注入现象是指？（)
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
