题目内容
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[主观题]
兰膜上背崩可能由以下哪些因素引起()
兰膜上背崩可能由以下哪些因素引起()
A、划片切割参数异常
B、上芯粘片参数异常,传送过程不当
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A、划片切割参数异常
B、上芯粘片参数异常,传送过程不当
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.金刚石中的碳原子排列比较紧密
B.排列顺序和结构的不同可能引起物质的飞跃
C.金刚石比石墨更有价值
D.可以用石墨来制造金刚石
A.媒体作为危机事件中的角色
B.凡是媒体就有可能因为不准确的语言描述而背离了企业所想表达的内容
C.媒体报道的广泛性
D.媒体报道的及时性