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[单选题]

在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。

A.外延

B.热氧化

C.PVD

D.CVD

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第1题
外延层的晶向与衬底的晶向相同。()
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第2题
如果衬底是(100)晶向,那么外延层也是(100)晶向。()
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第3题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
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第4题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第5题
低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。()
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第6题
拉晶结束后在直拉单晶炉壁上常有褐色粉尘状物,它的主要成分是(),是拉晶过程中()和()反应的产物;该反应也是造成直拉单晶中总是含有10~40PPMa()的主要原因。

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第7题
一单晶刻面宝石,在偏光镜下为全消光,该宝石是()。

A.单斜晶系

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C.低级晶簇

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第8题
在制剂工艺上,仿制药与原研药可能存在哪几方面的差异()。

A.药物晶型

B.旋光异构体

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第9题
薄膜制备的方式中,CVD不消耗衬底材料。()
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第10题
外延在半导体生产中的作用是()。

A.实现杂质浓度突变

B.优化衬底材料性能

C.设计更加灵活

D.让硅片更厚

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第11题
请分别叙述并比较多晶材料、单晶材料与非晶材料熔炼与冷却凝固过程的异同。
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