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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流,此时耗尽层()。

A.等于--不变

B.大于--变宽

C.小于--变窄

D.小于--变宽

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第1题
在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流;当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。

A.小于,大于

B.大于,小于

C.大于,大于

D.小于,小于

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第2题
当PN给外加反向电压时,其内部的扩散电流将()漂移电流。此时,耗尽层的宽度将()。

A.大于变宽

B.大于变窄

C.小于变宽

D.等于不变

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第3题
对异质结I-V特性的分析,以下说法正确的是?()

A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

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第4题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第5题
半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,此时扩散电流小于漂移电流。()
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第6题
当pn结()向连接时, 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变(),允许pn结上有较大的电流通过;当pn结
当pn结()向连接时, 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变(),允许pn结上有较大的电流通过;当pn结

()向连接时,阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层展(),pn结上只允许较小的()电流通过。

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第7题
对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

A.自发辐射光,阈值

B.自发辐射光,阀值

C.激光,阈值

D.激光,阀值

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第8题
当外加电压为正弦波时,考虑到铁芯磁饱和影响,其空载电流为()。

A.正弦波

B.尖顶波

C.平顶波

D.不一定

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第9题
当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。()
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第10题
双向触发二极管的二个PN结是对称的,当其两端所加电压升高到触发电压时,则通过它的电流急剧上升,其两端电压则下降。当其两端所加电压反向时,也会出现上述情况。()
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第11题
在室温(300K)情况下,若二极管加0.7V正向电压时,产生的正向电流为1mA。(1)求二极管的反向饱和电
在室温(300K)情况下,若二极管加0.7V正向电压时,产生的正向电流为1mA。(1)求二极管的反向饱和电

流;(2)当二极管正向电流增加10倍时,其电压应为多少?设二极管的指数模型为,其中n=1。

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