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[判断题]

干氧氧化所形成的氧化膜结构最疏松。()

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第1题

以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅?()

A.热氧化

B.掺氯氧化

C.干氧氧化

D.化学沉积

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第2题

界面陷阱电荷解决方法是()。

A.干氧氧化

B.水汽氧化

C.高压氧化

D.掺氯氧化

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第3题

下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（)。

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.与氧化方法无关

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第4题

干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（)一个大气压。

A.稍高于

B.大大于

C.等于

D.没有要求

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第5题

一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23.（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

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第6题

氧化圈形成是由于罐头食品排气过度和真空度过高所引起的。（）

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第7题

氧化圈的形成是由于罐头食品排气过度、真空度过高所引起的。（）

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第8题

纯铝易与氧形成致密的氧化膜，所以对（)有很好的抗腐蚀能力。

A.酸

B.碱

C.盐

D.热

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第9题

一定温度下铅易氧化，同时氧化铅能被细密多孔的灰皿所吸收，金银不能氧化形成合粒保留灰皿之中。（)

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第10题

接触器银以及银基合金触点表面在分断电弧所形成的黑色氧化膜的接触电阻很大，应进行锉修。（）

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第11题

由于铝的阳极氧化所使用的电解液一般是20％的硫酸溶液，而且阳极电位很高，所以阳极氧化过程的实质是（）的电解及生态氧对铝的氧化，在阳极上很快形成薄而细致的氧化膜。

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