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[判断题]

晶体管等效电路中,gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导,表示晶体管放大能力。()

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第1题
电路如图所示,已知晶体管的β=60,UBEQ=0.7V,rbb'=10Ω。 (1) 估算静态工作点Q (IBQ,ICQ ,UCEQ ); (2) 画出放大电路的微变等效电路; (3)求电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro。

电路如图所示,已知晶体管的β=60,UBEQ=0.7V,rbb'=10Ω。 (1) 估算静态工作点Q (IBQ,ICQ ,UCEQ ); (2) 画出放大电路的微变等效电路; (3)求电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro。

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第2题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。()
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第3题
国产晶体管3DG系列表示()。

A.硅材料NPN型高频小功率三极管

B.锗材料PNP型高频大功率三极管

C.硅材料NPN型低频小功率三极管

D.锗材料PNP型低频大功率三极管

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第4题
双稳态电路中如果一个晶体管正处在饱和状态,另一个晶体管一定是处在截止状态。()

双稳态电路中如果一个晶体管正处在饱和状态,另一个晶体管一定是处在截止状态。()

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第5题
判断题图E6-2中晶体管的工作状态。

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第6题
第四代计算机的逻辑器件,采用的是【】A.晶体管B.大规模、超大规模集成电路C.中、小规模集成电路D.微

第四代计算机的逻辑器件,采用的是【】

A.晶体管

B.大规模、超大规模集成电路

C.中、小规模集成电路

D.微处理器集成电路

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第7题
求题图7-4所示电路中的I和U0。其中晶体管的结压降为0.7V、β=100。

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第8题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第9题
用非易失性、高密度、单晶体管存储元、在系统中的可写性四项指标对各种存储器的性能进行比较.

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第10题
在题图E1-18所示电路中(点画线圆内的元件是晶体管),已知:Rc=3kΩ,RE=1.5kΩ,IB=40μA,Ic
在题图E1-18所示电路中(点画线圆内的元件是晶体管),已知:Rc=3kΩ,RE=1.5kΩ,IB=40μA,Ic

=1.6mA,求IE,和UCE和C点的电位Vc。

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第11题
英特尔表示,其新一代处理器已经不再使用铅作为原料,到2008年将停止使用卤素。通过这些举措,英特尔处理器对于环境的危害将大大降低。英特尔新型处理器的一个最大特点是采用了铪,可以有效地解决电泄漏的问题,使处理器功耗效率提升了30%。随着晶体管的体积不断缩小,电泄漏也更加严重,导致处理器发热和功耗过大的问题日益突出。从某种程度上讲,电泄漏已经成为阻碍处理器性能进一步提升的瓶颈。对这段话的主要意思概括最恰当的一项是()。

A.英特尔公司已经成功开发出了解决电泄露问题的新技术

B.电泄露问题是处理器生产过程中亟待解决的瓶颈问题

C.随着晶体管体积的不断缩小,处理器的发热和功耗问题将越来越严重

D.英特尔公司的新一代处理器应用了新材料,不仅更加环保,而且提升了功率

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