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[判断题]

如果衬底是(100)晶向,那么外延层也是(100)晶向。()

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第1题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
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第2题
异质外延对衬底和外延层有什么要求?
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第3题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第4题
什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?
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第5题
外延在半导体生产中的作用是()。

A.实现杂质浓度突变

B.优化衬底材料性能

C.设计更加灵活

D.让硅片更厚

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第6题
如果所有A是B,那么A与B的外延关系可能是().

A.全同关系

B.真包含关系

C.真包含于关系

D.交叉关系

E.全异关系

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第7题
产品的内涵不断扩大,产品的外延也发展到产品五层次,最基本的层次是(),即向消费者提供的产品基本效用和利益,也是消费者真正要购买的利益和服务。

A.期望产品

B.一般产品

C.核心产品

D.附加产品

E.潜在产品

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第8题
假设你有5个大小为7x7、边界值为0的卷积核,同时卷积神经网络第一层的深度为1。此时如果你向这一层传入一个维度为224x224x3的数据,那么神经网络下一层所接收到的数据维度是多少()。

A.218x218x5

B.217x217x8

C.217x217x3

D.220x220x5

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第9题
在测试人与被测试者(一个人和台机器)隔开的情况下,通过一些装置(如键盘)向被测者随意提问。经过多次图试后。如果被测试者超过()的答复不能使测试人确认出哪个是人、哪个是机器的回答,那么这台机器就通过了测试,并被认为具有人类智能。

A.70%

B.50%

C.30%

D.100%

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第10题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是()

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

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第11题
从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、100和()。

A.101

B.110

C.001

D.011

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