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MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。（)
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图为某电路中MOSFET的工作电流波形，电流最大值为10A，设MOSFET的导通电阻Rdson=0.5Ω，该电路中每次开关能量损耗为Es=0.2mJ，求当器件开关频率为100kHz时，器件的功率损耗。
A.开关调整管T导通时间越长，电感L储能越多.因此.当T截止时L向负载释放能量越多，在一定负载电流条件下，输出电压越高
B.为了提高开关稳压电源的效率，开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管（或MOSFET）
C.选择续流二极管要考虑导通、截止和转换三部分的损耗，因此选用正向压降小，反向电流小和存储时间短的开关二极管
D.开关稳压电路的开关频率一般为15〜500kHz，所以输岀端的滤波电容应便用低频电解电容
如图所示为并联型开关稳压电路图，下列说法错误的是()。
A.开关调整管T导通时间越长，电感L储能越多，因此，当T截止时L向负载释放能量越多，在一定负载电流条件下，输岀电压越高
B.为了提高开关稳压电源的效率，开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管(或MOSFET)
C.选择续流二极管要考虑导通、敏止和转换三部分的损耗，因此选用正向压降小，反向电流小和稀t时间短的开关二极管
D.开关稳压电路的开关频率一股为15〜500kHz，所以输出端的滤波电容应使用低频电解电容
A.开关调整管T导通时间越长，电感L储能越多，因此，当T截止时L向负载释放能量越多，在一定负载电流条件下，输出电压越高
B.为了提高开关稳压电源的效率，开关调整管应选取饱和压降和穿透电流均较小的功率三极管(或MOSFET)
C.选择续流二极管要考虑导通、截止和转换三部分的损耗，因此选用正向压降小，反向电流小和存储时间短的开关二极管
D.开关稳压电路的开关频率一般为15〜500kHz，所以输岀端的滤波电容应便用低频电解电容
如图为并联型开关稳压电路图，下列说法错误的是（）。
A.为提高开关稳压电源的效率，开关调整管T应选饱和压降及穿透电流均小的功率三极管或MOSFET
B.为降低损耗，续流二极管D应选用正向压降小、反向电流小及存储时间短的开关二极管
C.此电路亦可称为降压型开关稳压电路
D.控制电压Vb为矩形波，控制T的导通与截止
