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[填空题]

MOS场效应管的二极效应主要包括:()、()、短沟道效应和窄短沟道效应。

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第1题
MOS场效应管结构包括()。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第2题
MOS管通常工作在()区。

A.截止

B.饱和区

C.线性区

D.二极管区

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第3题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
TTL集成电路,()。

A.采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑

B.采用的是晶体管-晶体管逻辑

C.电源一般为+5V

D.电源一般为-5V

E.电源一般为+9V

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第5题
MOS场效应管不仅输入电阻非常高、输出端电流接近0,而且还有()等优点。

A.体积小

B.质量轻

C.噪声低

D.热稳定性好

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第6题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第7题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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第8题
什么是MOS器件的体效应?
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第9题
场效应管:利用输入()产生的电场效应来控制输出()而得名。
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第10题
场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的。()
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第11题
场效应管是利用()极和()极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
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