首页 > 继续教育

题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

短沟道和窄沟道效应对MOS场效应晶体管特性有什么影响？

暂无答案

如果结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装优题宝APP，拍照搜题省时又省心！

更多“短沟道和窄沟道效应对MOS场效应晶体管特性有什么影响？”相关的问题

第1题

MOS场效应管的二极效应主要包括：（）、（）、短沟道效应和窄短沟道效应。

点击查看答案

第2题

亚阈值导通是一个短沟道效应，通常只有沟道长度小于2um的MOS晶体管才会发生亚阈值导通。()

点击查看答案

第3题

MOS场效应晶体管根据沟道的导电类型可分为（）和（）两类。

点击查看答案

第4题

短沟道效应会导致的后果不包括的是（)。

A.阈值电压降低，器件特性改变

B.亚阈值特性变差，漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增，形成衬底电流

D.沟道电阻降低，饱和电流上升

点击查看答案

第5题

MOS场效应晶体管根据零栅压下是否导通可分为（）和（）两类。

点击查看答案

第6题

MOS场效应晶体管根据栅压情况，导致衬底可出现（）状态、平带状态、表面耗尽状态和（）状态四类。

点击查看答案

第7题

短沟道效应(名词解释)

短沟道效应（名词解释)

点击查看答案

第8题

MOS场效应晶体管的阈值电压U受哪些因素的影响？其中最主要的是哪个？

点击查看答案

第9题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

点击查看答案

第10题

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T₁、T₂工作在变阻区,试证

明:

点击查看答案

第11题

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。

A.正值

B.负值

C.零

D.以上都不是

点击查看答案

长沙图香大数据有限公司版权所有 ©2024

湘ICP备20011576号-2 营业执照

违法和不良信息举报电话：400-118-7898

举报/反馈/投诉邮箱：deng＃ujigu.com（请将＃替换成@）