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[主观题]

由一块本征半导体锗,测得如下数据: T(K) 333 385 455 566 714 σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400 求

由一块本征半导体锗,测得如下数据:

T(K) 333 385 455 566 714

σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400

求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关,空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2

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第1题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第2题
N型半导体的形成是在本征半导体中掺入()。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第3题
在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。

A.二价元素

B.三价元素

C.四价元素

D.五价元素

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第4题
关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是()。

A.多数载流子基本上由掺杂形成,所以多子浓度接近掺杂浓度

B.少数载流子由本征激发形成

C.多子浓度远大于少子浓度

D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质,则产生杂质补偿作用,杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定

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第5题
世界上第一块集成电路是在半导体材料()上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第6题
N型半导体又叫()型半导体,它是由本征半导体材料掺入少量的某种化合价为()价的元素制成的,其中多数载流子为(),少数载流子为()。

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第7题
太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是()。

A.锗

B.玻璃

C.砷化镓

D.硅

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第8题
根据下面资料,回答题 给某患者静脉注射一单室模型药物,剂量1050mg,测得不同时刻血药浓度数据如下

根据下面资料,回答题

给某患者静脉注射一单室模型药物,剂量1050mg,测得不同时刻血药浓度数据如下:

t(h)1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

8.0

10

(μg/ml)

109.78

80.35

58.81

43.04

23.05

12.35

6.61

该药的半衰期为 查看材料

A.0.55h

B.1.11h

C.2.22h

D.2.28h

E.4.44h

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第9题
何为本征半导体与本征吸收?
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第10题
何为本征半导体与本征吸收?
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第11题
什么是本征半导体和杂质半导体?
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