对下面的每一种滤波器指标,选择满足FIR滤波器设计要求的窗函数类型和长度。 (1)阻带衰减20dB,过渡带宽度lkHz,采样频率12kHz。 (2)阻带衰减50dB,过渡带宽度2kHz,采样频率20kHz。 (3)阻带衰减50dB,过渡带宽度500Hz,采样频率5kHz。
已知一维晶体的电子能带可写成式中,α为晶格常数。试求:
(1)能带的宽度; (2)电子的波矢k状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
由一块本征半导体锗,测得如下数据:
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关,空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
A.k的数值由F、m、a的数值决定
B.k的数值由F、m、a的单位决定
C.在国际单位制中,k=1
D.在任何情况下k都等于1