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[判断题]
钻孔取芯时，如上一缺陷的底部位置高程与下一缺陷的顶部位置高程高差小于30cm，则判定两处缺陷位于同一深度部位。 ()
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校验浮筒时，把浮筒室()打开，然后接一塑料管进行罐水校验。
A.底部排空阀
B.顶部排空阀
C.上部取压阀
D.下部取压阀
A.无损伤针：其含一个折返点，避免成芯作用：可使针尖受到输液港底部液体冲击时，而不影响液体的流速
B.每7天更换一次无损伤针
C.一旦穿刺输液港，不能通过旋转无损针针来调整位置
D.承受2000次穿刺，意味着同等的使用次数，并不代表进入和退出同一个穿刺点;所以避免穿刺同一穿刺点
A．所砌墙体的平面与竖向（高度）尺寸宜符合3M的基本模数
B．小砌块的组合尽量采用390mm长的主砌块，上、下皮应错缝搭砌，一般搭接长度为190mm
C．设计预留的洞口、管线、槽口及门窗、设备等固定点及块型应在墙体排块图上标注
D．砌块芯柱部位的砌块孔洞必须贯通，且每楼层底部应设置有清扫口的芯柱砌块
电力系统振荡时，电压最低的一点是振荡中心，振荡中心的位置是()
A、系统运行方式一定时，位置是固定不变的;
B、当系统各元件阻抗角相等时，在一定运行方式下位置固定与两侧等效电动势夹角大小无关;
C、当系统各元件阻抗角不相等时，在一定运行方式下，位置随两侧等效电势夹角而发生变化
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.管路布置不合理，按法规要求水管应尽量避免从配电板上方及后面通过。
B.未设置有效防护措施，按法规要求如不可避免则要采取有效的防护措施。
C.不宜在该位置设置可拆接头。
D.管子不能直接焊在甲板上，按法规要求，管子穿过水密或气密结构时应采用贯通配件或座板。
A.G.652光纤是标准单模光纤，零色散波长在1310nm，在波长1550nm处衰减最小
B.多模光纤的纤芯直径为50-75微米，在一定的工作波长下，有多个模式在光纤中传输
C.单模光纤的纤芯直径很小，约4-10微米，多个模式在光纤中传输
D.单模光纤工作在1310nm波长时，衰减系数为0.26dB/km～0.37dB/km，一般取0.32dB/km
E.单模光纤工作在1550nm波长时，衰减系数为0.18dB/km～0.22dB/km，一般取0.22dB/km
