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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

对晶向为<111>,6英寸N型半导体材料来说,()是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。

A.主平面

B.次平面

C.两表平面均可

D.定位槽

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第1题
N型半导体又叫()型半导体,它是由本征半导体材料掺入少量的某种化合价为()价的元素制成的,其中多数载流子为(),少数载流子为()。

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第2题
用来制作压阻式电阻传感器的半导体材料的压阻系数的影响因素不包括()。

A.掺入杂物的浓度

B.温度

C.材料的体积

D.材料的晶相

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第3题
从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、100和()。

A.101

B.110

C.001

D.011

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第4题
霍元件多采用P型半导体材料。()
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第5题
霍尔元件一般采用()半导体材料

A.本征

B.P型

C.N型

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第6题
‎X射线衍射法可以用于分析纳米材料的晶型以及晶体结构。()‌
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第7题
下列关于DR的叙述正确的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加

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第8题
型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。()

型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。()

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第9题
三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。()

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第10题
自由载流子型光电导指是()的半导体材料
自由载流子型光电导指是()的半导体材料

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第11题
在N型半导体中多数载流子是()

A.空穴

B.自由电子

C.电子空穴对

D.原子核

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