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第1题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1.现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第3题
下列有关半导体点火器的说法中，有误的是：（)。
A.半导体点火器的点火效应比火花塞要好。
B.半导体点火器是一种利用半导体的热效应来使电容放电起弧的点火装置。
C.半导体点火器的最大优点是所释放的点火能量可以做得很大。
D.在积炭和沾油的情况下，半导体点火器将不能正常工作。
