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[主观题]

MOS场效应晶体管的开关特性与什么有关?如何提高开关速度?

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第1题
定性说明在什么情况下MOS场效应晶体管会出现短沟道效应?
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第2题
MOS场效应晶体管根据沟道的导电类型可分为()和()两类。
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第3题
MOS场效应晶体管根据零栅压下是否导通可分为()和()两类。
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第4题
MOS场效应晶体管的阈值电压U受哪些因素的影响?其中最主要的是哪个?
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第5题
MOS场效应晶体管根据栅压情况,导致衬底可出现()状态、平带状态、表面耗尽状态和()状态四类。
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第6题
高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用()

A.功率场效应晶体管

B.电力晶体管

C.绝缘栅双极晶体管

D.晶闸管

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第7题
高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用()

A.功率场效应晶体管

B.电力晶体管

C.绝缘栅双极型晶体管

D.晶闸管

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第8题
Sim.ddb仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、三极管、JFET结型场效应晶体管、()、电压/电流控制开关、()、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等。
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第9题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第10题
什么是PN结的静态、动态特性?什么叫反向恢复过程、反向恢复时间?产生反向恢复过程的实质是什么?提高PN结二极管开关速度的途径是什么?
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第11题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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