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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

硅材料PN结的结压降为（)V。

A.0.3

B.1

C.0.7

D.2

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第1题

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为N_a=10¹⁶cm^-3,Nd=1.5X10¹⁷cm^-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第2题

求题图7-4所示电路中的I和U₀。其中晶体管的结压降为0.7V、β=100。

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第3题

常温下，锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第4题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件

D.产生PN结

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第5题

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第6题

晶体三极管内部含有（)个PN结，外部具有（)个电极，分别是（)、（)、（)。

晶体三极管内部含有()个PN结，外部具有()个电极，分别是()、()、()。

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第7题

PN结击穿后就损坏了。（)

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第8题

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第9题

当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时，则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第10题

PN结的内电场对载流子的扩散运动起（）作用，对漂移运动起（）作用。

A.阻碍

B.促进

C.促进

D.阻碍

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第11题

对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

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