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在图LP2-19所示电路中，已知晶体三极管的β=200，VBE(on)=-0．7 V，ICBO≈0。
(1)试求IB、IC、VCE； (2)若电路中元件分别作如下变化，试指出晶体三极管的工作模式：(a)RB2=2 kΩ(b)RB1=15 kΩ(c)RE=100 Ω。
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定,已知 若把它接成图LP5-25(b)所示的同相放大电路,为保证反馈放大器稳定工作,可采用简单电容补偿,亦可采用如图LP5-25(c)所示的密勒电容补偿,图中gm=
试求两种补偿时所需的电容值.设密勒补偿时
各级的输入和输出电阻对电路影响忽略不计.
在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的
在图14.14所示的两个电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
在图2.4所示稳态直流电路中，已知IS=2A，US=2V，R=2Ω，C=2μF，L=2mH，求R，C和L的电流和电压。
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
在图4-55所示差分放大电路中，已知RC=50kΩ，R1=10kΩ，R2=3.5kΩ，VCC=10V，VEE=-10V，β=100，试求最大输入共模电压范围Vic。设T1、T2、T3管的饱和压降VCE(sat)均为0.3V。
在图P7.16所示电路中,已知uI1=4V,uI2=1V.回答下列问题:
(1)当开关s闭合时,分别求解A、B、C、D和uo的电位;
(2)设t=0时S打开,问经过多长时间uo=0？
超前于
超前于
求U1和U2。
