A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射),后减小(考虑晶格振动散射),再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射),后增大(考虑本征激发),再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射),后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射),再增大(考虑本征激发)