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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

晶体管工作在截止状态时其条件是__（）

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压或反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.集电结电压大子其死区电压

答案

B、发射结电压小于其死区电压或反向偏置

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第1题

晶体管工作在截止状态时其条件是()。

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压或反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第2题

两个PN结均为反偏时，晶体管工作在饱和状态，两个PN结均为正偏时，晶体管工作在截止状态（）

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第3题

两个PN结都为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。（）

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第4题

双极型晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。()

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第5题

以下关于晶体管工作状态的描述中，不正确的是（）

A.晶体管输出特性曲线可以分为截止区、放大区和饱和区

B.当UCE＞UBE时，晶体管工作于截止区

C.晶体管放大区可以用于信号放大电路

D.晶体管截止区和饱和区通常应用与逻辑电路中

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第6题

在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的()和()。

在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的（)和（)。

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第7题

三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏

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第8题

三极管工作在截止状态的条件是()。

A.发射结正向偏置，集电結反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压

C.发射结和集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第9题

三极管工作在截止状态的条件为（）。

A.发射结正向偏置，集电結反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压

C.发射结和集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第10题

NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为

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第11题

某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V，VBC=-5.4V，则该管是（）

A.PNP型处于放大工作状态

B.PNP型处于截止状态

C.NPN型处于放大工作状态

D.NPN型处于截止状态

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