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[单选题]
光电二极管由于耗尽区是产生光生载流子的主要区域,因此要求:()。
A.入射光尽可能地少在耗尽区内吸收
B.二极管有宽的耗尽区
C.二极管有窄的耗尽区
D.二极管必须外加正向偏压
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A.入射光尽可能地少在耗尽区内吸收
B.二极管有宽的耗尽区
C.二极管有窄的耗尽区
D.二极管必须外加正向偏压
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍