题目内容
（请给出正确答案）
A.金属Q的遏止电压大于金属P的遏止电压
B.金属Q的逸出功大于金属P的逸出功
C.从金属板Q逸出的光电子的最大初动能为eu2
D.当电源电压为-u1时，金属板Q上有光电子逸出
答案
BCD
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更多“某同学用图甲所示的电路分别对两钟金属P和Q做光电效应实验，当…”相关的问题
A.因为材料不同，逸出功不同，所以遏止电压Uc不同
B.光电子的最大初动能不同
C.因为光强不确定，所以单位时间逸出的光电子数可能相同，饱和光电流也可能相同
D.两个光电管的Ucν图线的斜率可能不同
A.石块的质量是 46.8g
B.石块的体积是 18cm3
C.石块的密度是 2.6×103kg/m3
D.若先测石块的体积，最终测得石块的密度会偏小
分别判断图P2.2(a)、(b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出Q、Au、Ri和R0的表达式.
A.派出所接受投案，并指派民警调查
B.民警将吴某的同学李某传唤到派出所一同调查
C.民警张某带着联防队员分别对吴某、李某进行调查
D.民警认为其违法情节特别轻微，直接决定不予处罚
(2)功率增益P。/PAS值，其中
(3)电路成为振荡器的条件。
意图，试分别指出：
(1)两种晶体的结构基元的构成情况;
(2)两种晶胞中各种原子和离子的数目;
(3)它们有的点阵型式。
A.3：4
B.4：3
C.25：27
D.27：25
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
