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[判断题]

硅二极管的热稳定性能比锗二极管的要差。()

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第1题
二极管正向导通时,正向压降较低,硅管0.3-0.5V,锗管0.5-0.7V。()
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第2题
2DL硅堆是由N型硅二极管并联封装的。()
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第3题
硅二极管的死区电压约为()。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第4题
硅整流发电机的整流器由个二极管组成。此题为判断题(对,错)。
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第5题
用万用表测量二极管两端,正向电阻越小,反向电阻越大,说明此二极管极性()

A.越好

B.越高

C.越差

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第6题
正弦波振荡电路如图题9.6.5所示,已知R1=2kΩ,R2=4.5kΩ,RP在0~5kΩ范围内可调,设运
放A是理想的,振幅稳定后二极管的动态电阻近似为rd=500Ω,求RP的阻值。

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第7题
分析图2.5.1(a)、(b)所示两个电路的工作原理。两个电路对晶闸管的耐压要求是否相同?对二极管的

分析图2.5.1(a)、(b)所示两个电路的工作原理。两个电路对晶闸管的耐压要求是否相同?对二极管的耐压要求和晶闸管是否相同?

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第8题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第9题
世界上第一块集成电路是在半导体材料()上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第10题
3BX31是()三极管。

A.硅材料PNP型

B.硅材料NPN型

C.锗材料PNP型

D.锗材料NPN型

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第11题
3CG21是()三极管。

A.硅材料PNP型

B.硅材料NPN型

C.锗材料PNP型

D.锗材料NPN型

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