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[单选题]

以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第1题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第2题
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品,应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品,如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的,应立即停机反馈

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第3题
以下关于欧拉方程的基本假定说法中,错误的是()。

A.流动可随时间变化

B.不可压缩流体

C.叶轮的叶片数目为无限多,叶片厚度为无限薄

D.流体在整个叶轮中的流动过程为一理想过程

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第4题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第5题
关于组织结构以下说法正确的是?()

A.一个组织结构中,不能有相同的用户名

B.同一个组织结构,同一个用户组中不能有相同的用户名

C.同一个组织结构,同一个属性组中不能有相同的用户名

D.不同的组织结构,不能有相同的用户名

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第6题
下列关于股利政策的说法中,错误的是()。

A.采用固定股利支付率政策,由于股利支付率固定,有利于稳定股票价格

B.采用剩余股利政策,可以保持理想的资本结构,使加权平均资本成本最低

C.采用固定股利或稳定增长股利政策,当盈余较低时,容易导致公司资金短缺,增加公司风险

D.采用低正常股利加额外股利政策,有利于稳定股票的价格

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第7题
关于股利分配政策,下列说法正确的是()。

A.剩余股利政策有利于公司降低资本成本,保持理想的资本结构

B.固定股利政策有利于公司股票价格的稳定

C.固定股利支付率政策有利于公司股票价格的稳定

D.低正常股利加额外股利政策是一种介于固定股利政策与变动股利政策之间的折中的股利政策

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第8题
以下关于权力距离的说法正确的是()。

A.权力距离高的国家对于权利分配不平等这一事实更容易接受

B.权力距离大小在企业组织结构中会有较明显的表现

C.权力距离小的文化中的组织结构一般比较扁平

D.权力距离大的国家倾向于用自下而上的决策方式

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第9题
以下关于市净率模型的说法,正确的是()。

A.一般来说,市净率较高的股票投资价值较高

B.对于资产包含大量现金的公司来说,市净率是比较理想的估值指标

C.市净率模型适用于公司市场价值完全取决于有形账面价值的行业

D.市净率模型不适用于固定资产较少的服务业公司

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第10题
下面关于道德的说法中正确的有()。

A.道德是客观性与主观性的统一

B.道德是他律性与自律性的统一

C.道德是阶级性与全民性的统一

D.道德是现实性与理想性的统一

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第11题
关于“两阶段”抗震设计方法,以下说法中正确的是()。

A.第一阶段设计包括构件承载力验算和结构弹性层间位移角验算

B.结构弹性层间位移角验算是为了防止结构构件破坏

C.有明显薄弱层的不规则结构,应进行弹塑性层间变形验算

D.大多数结构,可只进行第一阶段设计,通过概念设计和抗震构造措施满足第三水准“大震不坏”的设计要求

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