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试画出正向PN结的能带图,并进行简要说明。

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第1题
在图P9.1电路中,已知CMOS反相器G1和G2的电源电压VDD等于5V,VOH≈5V,VOL≈0V,V
TH≈2.5V。若RA=22kΩ,RB=51kΩ,试求电路的正向闽值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压∆VT,并画出电路的电压传输特性。

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第2题
试分析题图14-5所示时序电路,画出状态转移图,并说明该电路的逻辑功能。

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第3题
PN结的好坏可以通过测量()来判断,一般用万用电表的R*100或R*10欧姆档来测量三极管发射结和集电结的正向电阻,这两次测量结果若都是低电阻,说明管子是好的。
PN结的好坏可以通过测量()来判断,一般用万用电表的R*100或R*10欧姆档来测量三极管发射结和集电结的正向电阻,这两次测量结果若都是低电阻,说明管子是好的。

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第4题
已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第5题
在图5-8的各电路图中,E=4V,ui=8sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形,二极管的正向压
在图5-8的各电路图中,E=4V,ui=8sin(ωt)V,试分别画出输出电压u0的波形,二极管的正向压

降忽略不计。

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第6题
试简述Bode图的主要优点。请简要说明。

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第7题
PN结正向偏置时(),反向偏置时(),这种特性称为PN结的单向导电性。
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第8题
层状石墨的单层结构如下图(u)所示。垂直于层方向的投彬图(b)说明,层的位置分为A和B两种。其立体
层状石墨的单层结构如下图(u)所示。垂直于层方向的投彬图(b)说明,层的位置分为A和B两种。其立体

结构图(c)说明,层与层之间等间距平行排列,且以ABAB方式堆积。试回答下列问题:

(1)说明石墨单层结构基元的构成情况;

(2)用中心加黑点的碳原子●表示阵点,间出石墨单层对应的点阵,并画出平行四边形的点阵素单位;

(3)说明石墨晶体结构基元的构成情况;

(4)用中心加黑点的碳原子●表示阵点,画出石墨晶体对应的点阵;

(5)在((4)的基础上,在点阵中画出一个上底面含有60°角的点阵素单位;

(6)上述点阵素单位平行六面体所对应的石墨晶体中含有几个碳原子?试

画图说明这个平行六面体石墨晶体中各碳原子的位置。

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第9题
PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。()
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第10题
PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。()

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第11题
PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.以上都不正确

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