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第1题
关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
第5题
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
