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=10千欧，RL=1千欧，Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V，Km=1mA/V2，λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,rbe均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解Au、Ri和R0.
P3.1
算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn：
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
电路如图题7.2.4所示，输入信号电压
。当电路中T1~T4参数已知
，证明电路的电压增益为：
。
,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Rs3.
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？
已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示，试问应选择哪些电路才能实现如图所示的输入、输出波形对应关系？
