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[判断题]

介质损耗角正切值的大小与绝缘损耗功率相关,介质损耗过大,会引起设备发热。()

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第1题
一般用来综合反映电介质损耗特性优劣的指标是()。

A.介电常数

B.电导率

C.介质损耗角正切

D.击穿场强

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第2题
下列不属于破坏性试验的是()。

A.介质损耗角正切测量

B.直流耐压试验

C.交流耐压试验

D.冲击耐压试验

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第3题
要提高电缆的输送容量,要求电缆护层的介质损耗角正切较低且有较高的稳定性。()
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第4题
热稳定试验和高温度下电容器损耗角正切的测量需要的试验设备为()。
热稳定试验和高温度下电容器损耗角正切的测量需要的试验设备为()。

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第5题
SN£­348£¯368是绝缘的聚乙烯高频对称电缆,介质损耗与金属损耗相比不能忽略不计。()
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第6题
电流互感器出厂试验,对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tanδ)允许值不应大于()

A.0.01

B.0.02

C.0.03

D.0.04

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第7题
电容的损耗包括漏电损耗和介电损耗,其中介电损耗是主要损耗,损耗角()。

A.越大,损耗越小

B.越小,损耗越小

C.是消耗有功功率与视在功率之比

D.是无功功功率与视在功率之比

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第8题
NodeB自动功率校准的上行功率校准是根据下行功率校准得到的线缆损耗大小,再根据通道中已知的()、()和(),计算出上行射频衰减器的值。
NodeB自动功率校准的上行功率校准是根据下行功率校准得到的线缆损耗大小,再根据通道中已知的()、()和(),计算出上行射频衰减器的值。

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第9题
引起能量损耗的因素有:导线电阻()

A.绝缘的泄露电导与介质损耗

B.极高频后陡坡下的辐射损耗

C.大地电阻

D.冲击电晕

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第10题
关于套管电容量和介质损耗因数停电试验,说法正确的是()。

A.适用于电容型套管

B.测量变压器套管tanδ时,被测套管所属绕组短路加压,其它绕组短路接地

C.如果试验电压加在套管末屏的试验端子,则必须严格控制在设备技术文件许可值以下(通常为2000V),否则可能导致套管损坏

D.测量前应确认外绝缘表面清洁、干燥

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第11题
绝缘预防性试验中的破坏性试验是()。

A.测绝缘

B.测介质损耗

C.工频耐压

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