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[主观题]

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd

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第1题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R

d=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is

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第2题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第3题
试判断如图2.11所示的电路能否按各图所要求的逻辑关系正常工作?若不能正常工作,请做相应的改动
.若电路接法有错,改电路:若电路正确但给定的逻辑关系不对,则写出正确的逻辑表达式.能正常工作的在图中括号内打“√",否则打“x".已知TTL门的IOH=0.4mA,IOL=10mA,UOH=3.6V,UOL=0.3V,CMOS门的VDD=5V,UOH=5V,UOL=0V,IOH=0.51mA,IOL=0.51mA.

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第4题
已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示,试问应选择哪些电路才能实现

已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示,试问应选择哪些电路才能实现如图所示的输入、输出波形对应关系?

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第5题
电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri
电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri

电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。

(1)画出该电路的微变等效电路;

(2)求输入电阻ri和输出电阻ro;

(3)当时us=15mV,求输出电压uo

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第6题
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes

1=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02

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第7题
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri

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第8题
如图题5.4.2所示的偏置电路中,热敏电阻Rt具有负温度系数,问能否起到稳定静态工作点的作用?

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第9题
电路如图题3.5.1所示,所有稳压管均为硅管,且稳定电压Vz=8V,设vi=15sinwtV, 试绘出v0
1和v02的波形。

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第10题
单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号
单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻,计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs

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第11题
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

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