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第1题
写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式?作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。
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第3题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是（)和（)。
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第5题
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（)。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
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第6题
IC制造中对光刻技术的基本要求有哪些？
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第7题
在光刻技术中为何显影后必须进行检查？检查的内容有哪些？
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第8题
X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点?
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第9题
光固化成型（SLA)技术，又被称为立体光刻成型技术。（)
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第10题
最新的宽动态技术，在解决图像高亮度和低亮度部分的细节时，需对图像进行空间域的变换，其主要技术有()。
A.背光补偿
B.双曝光技术
C.电子快门
D.多重取样技术
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第11题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、去胶等。
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