如果结果不匹配，请 
更多“金属反弯曲试验是检验金属(及复盖层)耐反弯曲性性能并显示其缺…”相关的问题
第1题
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
A.上，积累，下，耗尽或反型
B.上，耗尽或反型，上，积累
C.上，积累，上，耗尽或反型
D.下，积累，下，耗尽或反型
第8题
依据DL£¯T1424£2015《电网金属技术监督规程》，锌铝合金和铝锌合金镀层的厚度可通过中性耐盐雾试验确定，其耐盐雾性能不应小于（)小时。
A.800
B.900
C.1000
D.1200
第11题
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（)
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
