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[主观题]

设导带底在布里渊区中心，导带底Ec附近的电子能量可以表示为E（k)=Ec+h2k2/（2m_{n}^{*})．式中，是电子的有效质

设导带底在布里渊区中心，导带底E_c附近的电子能量可以表示为E(k)=E_c+h²k²/(2m_{n}^{*})．式中， $设导带底在布里渊区中心，导带底Ec附近的电子能量可以表示为E（k)=Ec+h2k2/（2m_{n}^$ 是电子的有效质量．试在二维和三维两种情况下，分别求出导带附近的状态密度．

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更多“设导带底在布里渊区中心，导带底Ec附近的电子能量可以表示为E…”相关的问题

第1题

会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于（)。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第2题

对于非简并半导体，导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为：（)。

A.抛物线性关系

B.线性关系

C.幂函数关系

D.指数关系

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第3题

在间接带隙半导体中，电子由价带顶跃迁到导带底时，需要同时吸收或发射（），以补偿电子准动量的变化。

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第4题

载流子跃迁前后在（)所对应的波数（ke)与价带顶所对应波数（kh)相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第5题

导带底与价带顶之间的能量区域称为（)。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第6题

电子亲和势，是指电子从（)到真空能级的能级差。

A. 导带底能级

B. 价带顶能级

C. 费米能级

D. 施主能级

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第7题

对于N型半导体，根据导带低EC和EF的相对位置，半导体可分为（）、弱简并和（）三种。

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第8题

Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？（)

A.[100]及其等价方向;k=0处

B.k=0处;k=0处

C.[111]及其等价方向;k=0处

D.[100]及其等价方向;[111]及其等价方向

E.[110]及其等价方向;k=0处

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第9题

线绳结构的普通V带，其线绳在（）。

A.顶胶

B.抗拉层

C.底胶

D.外包布

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第10题

在易燃易爆场所穿（)不安全。A.布底鞋B.带铁钉鞋C.胶底鞋D.防静电工作鞋

在易燃易爆场所穿()不安全。

A.布底鞋

B.带铁钉鞋

C.胶底鞋

D.防静电工作鞋

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第11题

常规号码道岔的导曲线一般不设超高和轨底坡，条件容许时可设少量超高。（）

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