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[主观题]

电路如图P2.11所示,晶体管β=100,r_{bb<／sub>=100Ω（1)求电路的Q点、A_{u<／sub>、R_{i<／sub>,和R_{0<／sub>;（2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化？（3)若电容C_{e<／sub>开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？}}}}}

电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb=100Ω（1)求电路的Q点、Au、Ri,和R0;（

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更多“电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb=100Ω（…”相关的问题

第1题

比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,Υ_BE(on)=0.7Υ,β=100,|V_A|=120Υ

比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,Υ_BE（on)=0.7Υ,β=100,|V_A|=120Υ

,试求I_C1、I_C3和T₃侧的输出交流电阻R_s3.

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第2题

电路如图2.3所示，运放的输出电流2mA，晶体管T的电流放大系数，确定电阻R的阻值。

电路如图2.3所示，运放的输出电流2mA，晶体管T的电流放大系数，确定电阻R的阻值。

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第3题

电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,r_be=1kΩ.（1)求出Q点;（2)分别求出R_L=∞和R_L=3kΩ时

电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,r_be=1kΩ.

(1)求出Q点;(2)分别求出R_L=∞和R_L=3kΩ时电路的A_u、R_i和R₀.

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第4题

电路如图P3.1（c)、（e)所示,晶体管的β均为200,r_be均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A

电路如图P3.1(c)、(e)所示,晶体管的β均为200,r_be均为3kΩ.场效应管的gm为15mS;Q点合适.求解A_u、R_i和R₀.

P3.1

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第5题

电路如图P1.10所示,晶体管导通时U_BE=0.7V,β=50.试分析V_BB为0V、1V、3V三种情况下T的工

作状态及输出电压u₀的值.

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第6题

求题图7-4所示电路中的I和U₀。其中晶体管的结压降为0.7V、β=100。

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第7题

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：(1)Q点;(2)输入电阻R_i;(3)电压增益A_es

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：（1)Q点;（2)输入电阻R_i;（3)电压增益A_{es1=v₀₁/v_N和A_es2=v₀₂/v_N;(4)输出电阻R₀₁和R₀₂。}

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第8题

差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,V_BE(on)都为0.7V.(1)说明T₃、T₄管

差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,V_BE（on)都为0.7V.（1)说明T₃、T₄管

的作用.(2)求I_CQ1、I_CQ2.(3)求差模增益A_td1.

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第9题

电压串联负反馈放大器交流通路如图LT5-8所示,已知二极管g_m=77mS,β=100,A_v=500,电路参

数R_E1=51Ω,R_f=1.2kΩ,R_B=10kΩ,试在满足深度负反馈条件下,求

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第10题

电路如补图P4所示,试问β大于多少时晶体管饱和？

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第11题

在题图E1-18所示电路中(点画线圆内的元件是晶体管)，已知：Rc=3kΩ，R_E=1.5kΩ，I_B=40μA，Ic

在题图E1-18所示电路中（点画线圆内的元件是晶体管)，已知：Rc=3kΩ，R_E=1.5kΩ，I_B=40μA，Ic

=1.6mA，求I_E，和U_CE和C点的电位Vc。

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