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第3题
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（)
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
第4题
对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
第7题
某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】
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第10题
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
A.上，积累，下，耗尽或反型
B.上，耗尽或反型，上，积累
C.上，积累，上，耗尽或反型
D.下，积累，下，耗尽或反型
