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[判断题]

N型半导体的多子就是自由电子,少子就是空穴。()

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第1题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第2题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第3题
有关半导体下列说法正确的是()。

A.半导体就是一半导电,一半不导电

B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体

C.半导体中有两种载流子,既有自由电子载流子又有空穴载流子

D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

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第4题
N型半导体又称电子型半导体,它主要靠自由电子导电。()
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第5题
N型半导体中的多数载流子是()。

A.自由电子

B.空穴

C.束缚电子

D.晶格上的离子

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第6题
PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第7题
半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。()
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第8题
翻车机空牛的作用就是将推车器推出的空车皮推送至空车集结线。()
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第9题
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为1014cm-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第10题
问题描述:给定2个长度分别为n和m的序列x[0...n-1]和y[0...m-1],以及d个约束字符串 多子串排

问题描述:给定2个长度分别为n和m的序列x[0...n-1]和y[0...m-1],以及d个约束字符串多子串排斥约束的最长公共子序列问题就是要找出x和y的不含为其子串的最长公共子序列

算法设计:设计一个算法,找出给定序列x和y的不含为其子串的最长公共子序列.

数据输入:重文件input.txt提供输入数据.文件的第1行中给出正整数d,表示约束字符串个数.接下来的2行分别给出序列x和y.最后d行的每行给出一个约束字符串.

结果输出:将计算出的x和y的不含为其子串的最长公共子序列输出到文件output.txt中.文件的第1行输出最长公共子序列.第2行输出最长公共子序列的长度.

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第11题
数控程序的校验和试切,就是根据已输入到数控机床的程序进行空运转和试切削,检验输入的程序是否有误。()
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