题目内容
(请给出正确答案)
[多选题]
在测量显微镜下,测量推晶后框架上的(),对于每种尺寸的bump,在50~100X下选择3个锡残留尺寸(),在()的镜头下测量其残留痕迹的最小尺寸。
A.锡残留
B.最小的
C.200X及以上
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A.锡残留
B.最小的
C.200X及以上
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.美国科学家对海洋做了长期大量的测量分析工作
B.美国科学家通过长期测量分析发现地球正在变暖
C.美国科学家指出全球变暖时热量大多被海洋吸收
D.美国科学家以大量数据证明海水温度在不断升高