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晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。（）

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第1题

第一个晶体管采用的半导体材料是（)。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第2题

国产晶体管3DG系列表示()。

A.硅材料NPN型高频小功率三极管

B.锗材料PNP型高频大功率三极管

C.硅材料NPN型低频小功率三极管

D.锗材料PNP型低频大功率三极管

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第3题

目前国产的晶体管，锗管大多为NPN型，硅管大多为PNP型。（)

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第4题

测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别-9V，-6V和-6.3V，则这个晶体三极管是PNP锗管。（)

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第5题

测得正常放大电路中，晶体管的三个管脚电位分别是-9V、-6V和-6.3V，则这个晶体三极管是PNP锗管。（)

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第6题

二极管按半导体材料可分为()。

二极管按半导体材料可分为（)。

A . 硅二极管

B . 锗二极管

C . 变容二极管

D . 砷化镓二极管

E . 整流二极管

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第7题

晶体管时间继电器按构成原理分为()和()两类。

晶体管时间继电器按构成原理分为（)和（)两类。

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第8题

计算机发展过程按使用的电子器件可划分为4个阶段，其中第二代和第四代计算机使用的器件分别为()。

A.电子管

B.晶体管

C.集成电路

D.超大规模集成电路

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第9题

‏摩尔定律(Moore Law)预见了在一个单片上能够集成的晶体管数目将随着()按指数规律增长。‎

‏摩尔定律（Moore Law)预见了在一个单片上能够集成的晶体管数目将随着（)按指数规律增长。‎

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第10题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第11题

以下不可以用作量子比特的是（)

A.强光的有或者无

B.晶体管中的单个电子自旋

C.光子不同的偏振

D.具有量子相干性的原子能级

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