题目内容
（请给出正确答案）
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
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更多“在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE…”相关的问题
在图P7.16所示电路中,已知uI1=4V,uI2=1V.回答下列问题:
(1)当开关s闭合时,分别求解A、B、C、D和uo的电位;
(2)设t=0时S打开,问经过多长时间uo=0？
2)若RE=0,RB2开路,指出电路工作模式.
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
图3-3-14所示两铰拱,已知其拱轴线方程为y=(4f/2)x(1-x).在图中均布荷载作用下,若忽略轴向变形,则拱顶截面C的弯矩MC=();若考虑轴向变形,则弯矩MC的受拉侧为侧(均不计剪切变形的影响).
图P9.16
(1)为了使负载上得到的最大不失真输出电压幅值最大,基准电压UREF应为多少伏？静态时uo1和uo2各为多少伏？
(2)若Ui足够大,则电路的最大输出功率Pom和效率ƞ各为多少？
(3)若电路的电压放大倍数为20,则为了使负载获得最大输出功率,输入电压的有效值约为多少？
电路如题图5-3(a)所示。已知uc(t)=cos2tV，试求电源电压us(t)。分别绘出题图中所标出的所有电压和和所标出的所有电流的相量图。
求受控电流源两端电压u12。
