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[单选题]

半导体中施主能级的位置位于()中。

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

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第1题
计算含有施主杂质浓度为ND=9x1015cm-3,及受主杂质浓度为1. 1x1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第2题
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第3题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第4题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第5题
若硅中施主杂质电离能△ED= 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少?

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第6题
膨胀阀式制冷系统中的干燥过滤器位于为()。

A.冷凝器之后

B.蒸发器之前

C.压缩机之后

D.管路的任何位置

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第7题
会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于()。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第8题
在WorD中页眉位于页面的()

A.底部

B.中部

C.顶部

D.任意位置

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第9题
在Word中,如果要选定较长的文档内容,可先将光标定位于其始位置,再按住()键,用鼠标单击其结束位

在Word中,如果要选定较长的文档内容,可先将光标定位于其始位置,再按住()键,用鼠标单击其结束位置即可。

A.Ctrl

B.Shift

C.Alt

D.End

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第10题
Word2010中的滚动条包括:垂直滚动条和水平滚动条,分别位于主窗口的右侧及下方,可用于调整正在编辑文档的显示位置。()
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第11题
在Excel中,下列说法不正确的是()。

A.图表中信息的更改必须要用鼠标

B.图例可以显示也可以不显示

C.图表中图例的位置只能位于图的右侧

D.除图表向导中指定的内容外不能增加其他内容

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