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[判断题]

场效应晶体管属于电流控制器件,场效应管的最大优点是输入电阻高。()

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第1题
三级管属于()

A.单极性电压控制型器件

B.双极性电压控制型器件

C.单极性电流控制型器件

D.双极性电流控制型器件

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第2题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第3题
三极管是器件()。

A.电压控制电压

B.电流控制电压

C.电压控制电流

D.电流控制电流

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第4题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第5题
场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3
=2M,Rd=10千欧,R=2千欧,Cb1=1μF,Cb2=1μF,RL=100千欧,。试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz,幅值为10mV的正弦信号,观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益,电流增益,输入电阻及输出电阻。

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第6题
短沟道效应会导致的后果不包括的是()。

A.阈值电压降低,器件特性改变

B.亚阈值特性变差,漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增,形成衬底电流

D.沟道电阻降低,饱和电流上升

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第7题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R

d=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is

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第8题
任何电器件在工作时周围都会产生电磁场,电流的变化和电压的变化都会向周围空间发射电磁场,电
磁泄漏是不可避免的,因此信息的泄漏也是不可避免的。()

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第9题
电力电子器件是开关方式工作为主,对电能进行控制和转换的电力器件。电力电子器件可分为三类:()。

A.双极型

B.单极型

C.混合形

D.三极型

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第10题
DDC的控制方案(控制程序)与主控模块关系不正确的是()。A.用户可以通过手操器下载并驻留到主控模块

DDC的控制方案(控制程序)与主控模块关系不正确的是()。

A.用户可以通过手操器下载并驻留到主控模块的非易失器件中

B.用户可以通过上位机下载并驻留到主控模块的非易失器件中

C.厂商在生产时直接写人并驻留到主控模块的非易失器件中

D.控制方案(控制程序)存在上位机上,不需要驻留在主控模块中

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第11题
DDC的控制方案(控制程序)一般存储在主控模块的FLASH器件中,DDC掉电后不丢失。此题为判断题(对,错)。
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